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    深圳市众力扬电子科技有限公司

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    行业新闻

    半导体和电路器件是大功率开关竞技宝app ios发展的重要支撑

    时间:2010/9/27 18:18:57  浏览:

    功率半导体器件仍然是电力电子技术发展的“龙头”,电力电子技术的进步必须依靠不断推出的新型 大功率开关竞技宝app ios电力电子器件。
      功率场效应管(MOSFET)由于单极性多子导电,显著地减小了开关时间,因而很容易地便可达到1MHz的开关工作频率而受到世人瞩目。但是 MOSFET,提高器件阻断电压必须加宽器件的漂移区,结果使器件内阻迅速增大,器件的通态压降增高,通态损耗增大,所以只能应用于中小功率产品。为了降低通态电阻,美国IR公司采用提高单位面积内的原胞个数的方法。如IR公司开发的一种HEXFET场效应管,其沟槽(Trench)原胞密度已达每平方英寸1.12亿个的世界最高水平,通态电阻R可达3mΩ。功率MOSFET,500V、TO220封装的HEXFET自1996年以来,其通态电阻以每年50%的速度下降。IR公司还开发了一种低栅极电荷(Qg)的HEXFET,使开关速度更快,同时兼顾通态电阻和栅极电荷两者同时降低,则R×Qg的下降率为每年30%。对于肖特基二极管的开发,最近利用Trench结构,有望出现压降更小的肖特基二极管,称作TMBS-沟槽MOS势垒肖特基,而有可能在极低竞技宝app ios电压应用中与同步整流的MOSFET竞争